然而，具潜由于电化学反应过程中的动力学缓慢，具潜其电池性能仍然不能令人满意，这是由于Na+和K+的较大离子半径以及与它们的插入和提取相关的严重的体积膨胀所致。

这些特性有利于Li+的传输，电解并解释了为什么离子绝缘体（如LiF）被认为是SEI的有利成分。对于图1a中的所有HCE-SEI样品，水制术与LCE对应物的显著区别是出现了额外的宽凸点，这应该是非晶相或纳米微晶引起的。

基于LiH的水分敏感性与LiF的水分稳定性，氢技利用原位XRD进一步证实了LiH在SEI中的存在。首先，具潜较小的晶粒尺寸通常导致较大的晶格参数，这是由晶体表面和周围化学物质之间的相互作用引起的。此外，电解研究发现SEI中的LiF具有与体相LiF不同的结构特征，包括较大的晶格参数和较小的晶粒尺寸（3nm）。

为了使SEI对空气的敏感度可视化，水制术将原本密封的SEI样品铺在纸上，暴露在空气中，进行拍照。据报道，氢技LiF可以与SEI中的其它化学物质结合。

图文导读1、具潜SEI中晶体成分的识别图1 不同电解液中形成的SEI的XRD图谱分别利用锂盐（LiFSI）和溶剂碳酸丙烯酯（PC）、具潜碳酸二甲酯（DMC）和乙二醇二甲醚（DME）配制低（LCE，1 M）和高（HCE，5 M）盐浓度电解液，然后在其中循环锂金属电池。

值得注意的是，电解该晶相与体相LiF完全不同，将其表示为SEI-LiF或LiF(SEI)。水制术优秀的实验室恋情一定程度上也是学术成果的催化剂。

氢技段镶锋黄昱报告了在金属过渡金属二卤化物（m-TMDs）和半导体TMD（s-TMDs）之间的二维vdWH阵列的一般合成策略。而黄昱专注于研究纳米材料（包括纳米颗粒、具潜纳米线和石墨烯）的合成、具潜表征和实际应用，从纳米晶体的生长到利用原子级薄材料的功能器件的相关研究。

电解1957年毕业于北京钢铁学院冶金系。水制术段镶锋黄昱显示可以通过将导电微结构气隙栅极与二维半导体晶体管集成在一起来创建高灵敏度的压力传感器。